單晶爐在使用前一定要認(rèn)真的閱讀操作規(guī)程,，以免發(fā)生意外和導(dǎo)致設(shè)備的損壞。

1,、清爐,、裝爐：清洗整個(gè)爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器,、晶體夾持器,、上軸、下軸,，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸,、下軸的對(duì)中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處,，然后將其安裝到上軸末端,，進(jìn)行多晶料的對(duì)中；將籽晶裝入籽晶夾頭上,，然后將其安裝到下軸頂端,；關(guān)閉各個(gè)爐門，擰緊各緊固螺栓,； 

2,、抽空、充氣,，預(yù)熱：打開真空泵及抽氣管道閥門,，對(duì)爐室進(jìn)行抽真空，真空度達(dá)到所要求值時(shí),，關(guān)閉抽氣管道閥門及真空泵,，向爐膛內(nèi)快速充入氬氣；當(dāng)充氣壓力達(dá)到相對(duì)壓力 1bar-6bar時(shí),，停止快速充氣,，改用慢速充氣，同時(shí)打開排氣閥門進(jìn)行流氬；充氣完畢后,，對(duì)多晶硅棒料進(jìn)行預(yù)熱,，預(yù)熱使用石墨預(yù)熱環(huán)，使用電流檔,，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40％,，預(yù)熱時(shí)間為10-20分鐘； 

3,、化料,、引晶：預(yù)熱結(jié)束后，進(jìn)行化料,，化料時(shí)轉(zhuǎn)入電壓檔,，發(fā)生器設(shè)定點(diǎn)在40-60％；多晶料熔化后,，將籽晶與熔硅進(jìn)行熔接,，熔接后對(duì)熔區(qū)進(jìn)行整形，引晶,； 

4,、生長(zhǎng)細(xì)頸：引晶結(jié)束后，進(jìn)行細(xì)頸的生長(zhǎng),，細(xì)頸的直徑在2-6mm,，長(zhǎng)度在30-60mm； 

5,、擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄杭?xì)頸生長(zhǎng)結(jié)束后，進(jìn)行擴(kuò)肩,，緩慢減少下速至3±2mm/min,，同時(shí)隨著擴(kuò)肩直徑的增大不斷減少下轉(zhuǎn)至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm,；為了防止高壓電離,，在氬氣保護(hù)氣氛中充入一定比例的氮?dú)猓獨(dú)獾膿饺氡壤鄬?duì)于氬氣的 0.01％-5％,；

6,、轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放：在擴(kuò)肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時(shí),，擴(kuò)肩的速度要放慢一些,，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩，直至達(dá)到所需直徑,，單晶保持,，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長(zhǎng)速度1mm/分-5mm/分，在擴(kuò)肩過(guò)程中,，當(dāng)單晶的肩部單晶持器的銷子的距離小于2mm時(shí)釋放夾持器,，將單晶夾住,；

7,、收尾、停爐：當(dāng)單晶拉至尾部,，開始進(jìn)行收尾,，收尾到單晶的直徑達(dá)到Φ10-80mm，將熔區(qū)拉開,，這時(shí)使下軸繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng),，上軸改向上運(yùn)動(dòng)，同時(shí)功率保持在40±10％,，對(duì)晶體進(jìn)行緩慢降溫,。